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Modélisation des défauts ponctuels (intrinsèques et extrinsèques) dans les matériaux inorganiques

Modélisation des défauts ponctuels (intrinsèques et extrinsèques) dans les matériaux inorganiques

Permanents impliqués : Camille Latouche, Stéphane Jobic


Les défauts cristallins jouent un rôle majeur dans les propriétés opto-électroniques des matériaux utilisés comme Illustration3 4absorbeurs dans les cellules photovoltaïques réalisées au laboratoire. A cette fin, des calculs d'énergies de formation de défauts ponctuels D de charge q via les outils de la DFT sont réalisés pour identifier la nature des défauts potentiellement présents dans le matériau solide sondé, déterminer leur concentration en fonction des conditions de synthèse (atmosphère, température de synthèse) et leur impact sur la structure électronique du matériau idéal non fauté. Ce type d'étude peut évidemment être extrapolé à tout type de matériaux inorganiques solides pour mieux comprendre leurs propriétés et établir un lien structure-propriétés. Ces calculs peuvent également aidés au choix des conditions de synthèse et/ou du dopant idoine pour atteindre les caractéristiques physiques souhaitées.

Mots-clés : DFT, défauts, énergie de formation, concentration, niveau de Fermi

Expertises : Modélisation, VASP, Python, défauts, Chimie inorganique, oxydes, chalcogénures

Liens :

Collaborations :
Rennes (France, ISCR : CTI, Verres et céramiques)
Paris (France, IRCP)
Orléans (France, CEMHTI)
Raleigh (USA, NCSU)
Fargo (USA, NDSU)
Paris (France, EDF)
Financements : ANR-JCJC (MoRDOR, porteur), ANR (PERSIST), Etoile Montante (CLIC), + 4 Millions d’heures de calculs sur les centres nationaux.

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