BESLAND Marie-Paule

Directrice de recherche CNRS

Fonctions :

• Directrice de Recherche CNRS en section 08 (ancienne section)
• Oct. 2019 - Adjointe au Directeur Scientifique Référent (ADSR), sites Limousin-Poitou et La Rochelle
• Oct. 1988 Recrutement CR2 CNRS Ecole Centrale de Lyon

Qualifications :

• 2008 Habilitation à Diriger les Recherches- Université de Nantes (20 Janvier 2008) : « Matériaux en Couches minces par Procédés Plasma »
• 1989 Docteur Université Montpellier-Sciences des Matériaux (13 avril 1989)
• 1985 Ingénieur ENSCM (Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier) (Juin 1985) - Option Chimie des Matériaux et DEA Sciences des Matériaux
• 1983   Maitrise Chimie - Université Nantes

Expertises :

• Matériaux en couches minces par procédés assistés plasma (PEPVD, PECVD),
• Corrélations Procédé-Matériaux,
• Matériaux Diélectriques, Oxydes binaires, ternaires, quaternaires, Chalcogénures, Nitrures, Oxynitrures,
• Interfaces, Dispositifs pour la micro-électronique, l’Energie, la Photocatalyse,
• Caractérisations structurales et physico-chimiques (XPS, AFM)

Principales thématiques de recherche :

Mon projet d’entrée au CNRS (1988) était l’optimisation de l’interface SiO2/InP, j’ai ainsi développé (1988-1996) la Passivation des matériaux III-V : traitements de surface, oxydation et nitruration par plasma puis dépôt de diélectrique (SiO2 et SiNx) par procédés plasma froids PECVD-ECR (1988-2000). En parallèle (2000-2003), j’ai mis en œuvre un réacteur de gravure ICP pour la gravure de nitrures d’éléments III (III-N) en chimie Chlore.

AlN pour le management thermique : initiée en 2005 avec M.A. Djouadi (IMN) dans le cadre d’une thèse CIFRE avec Thales III-V Lab (S. Delage, C. Brylinski), il s’agissait de réaliser des couches minces d’AlN, bon conducteur thermique pour des transistors de puissance hyperfréquence, HEMT piézo-électrique à base de GaN (HEMT GaN), afin d’assurer le management thermique et la passivation primaire (Barrière de diffusion et évacuation de la chaleur générée en fonctionnement). Au cours de deux thèses (C. Duquenne-2008 (CIFRE Thales) ; B. Abdallah-2009 (Gvt Syrien)), le dépôt d’AlN et ses propriétés thermiques ont été optimisés. En collaboration avec le CRHEA (Sophia Antipolis), l’obtention d’AlN en épitaxie sur AlGaN et sur AlN a été démontrée (substrats MBE-CRHEA). (2005-2012)

Oxydes complexes par Pulvérisation Magnétron. Cette thématique a été initiée avant mon arrivée par P.Y. Tessier et L. Brohan au cours de la thèse de M-W CHU (2002). Dès mon arrivée en mutation à Nantes (2003-2008), j’ai mis en place un réacteur dédié (2003) et ai poursuivi la thématique jusqu’en 2008. Les résultats obtenus ont confirmé la pertinence de la pulvérisation magnétron pour le dépôt de matériaux ternaires et quaternaires, en particulier comparée à l’ablation laser (PLD) qui limite les surfaces de dépôt au cm2. Ceci a constitué la base des études suivantes sur d’autres matériaux, dans le cadre de deux thèses à visée applicative et industrielle (Emeline Souchier (BDI CNRS-ST Microelectronics, 2006-2010) : étude du dépôt du matériau GaV4S8 en collaboration PCM/PMN et Fatiha Challali, (2007-2010) (Thèse CIFRE MHS) : étude du dépôt d’oxydes à haute constante diélectrique (BST, TiTaO) et forte résistance (TiON). Ces études ont été initiatrices de la thématique sur les isolants de Mott. (2003-2011)

Les isolants de Mott sont des matériaux aux propriétés exceptionnelles, leur obtention en couche mince a ouvert la voie à de nombreuses applications. Une nouvelle électronique, nommée « Mottronique », permet la production de mémoires de Mott intégrées sous forme de couches minces pour le stockage d’informations (Projet IPCEI) ou encore la fabrication de réseaux de neurones et synapses économes en énergie pour l’intelligence artificielle (Projet région Mott-IA). (2005-2025)

Les matériaux pour l’énergie constituent une nouvelle orientation des activités de l’équipe PCM (Plasma Couches Minces) en collaboration avec ST2E (Stockage et Transformation Electrochimique de l’Energie) dans le domaine du micro-stockage de l’énergie. Il s’agit, en particulier, d’apporter la versatilité des procédés assistés plasma pour l’élaboration de matériaux pour micro-supercondensateurs et micro-batteries. (2021 -2027)

Projets de recherche en cours

• 2023-2027 ANR NACELL : Resp. Scientifique IMN, Post-doc 12 mois, 118 K€
• 2023-2027 Contrat Européen IPCEI avec ST-Microelectronics (porteur PMN)
• 2022-2027 Projet région Mott-IA (2,5 M€) Porteut L. Cario (PMN)
• 2024-2028 ANR ADN, Porteur C. Villeneuve (LAPLACE)

Activités dans la communauté de recherche :

• 2024-2025    Co-responsable GT « Matériaux », 2ème Enquête Microélectronique pour DRE CNRS
• 2018-2019    Co-responsable GT « Matériaux », Initiative Microélectronique pour INSIS-CNRS
• 2016-2023    Membre nommée au comité National CNRS, section 08 : 2016-2021 et 2021-Juin 2023
• 2016-2022    Directrice du GDR 3660 OXYFUN, Membre du bureau (Janvier 2014-Juillet 2016)
• 2015-2019    Représentante CNRS au CA INSA Centre Val de Loire
• 2005- 2013   Membre du bureau du C’Nano Nord-Ouest, correspondante région Pays de la Loire
• 2005- 2013   Correspondante Valorisation IMN auprès DR17-CNRS 
• 2016-2025   Membre de 23 Comités de sélection (COS)
• 2008-2025   Participation à 100 jurys de thèses (86) et HDR (14) dont 60 Rapports

Activités d’expertise :

• 2017 - 2024 : Membre Comités d’Evaluation HCERES : LPICM (Palaiseau) ; XLIM (Limoges) ;
• GREMAN (Tours) ; CRHEA, Nice ; UDSMM (UCLO), GEMaC (UVSQ), GeePs (Paris Saclay)
• 2018 - 2025 : expertise projets ANR pour CES 08, CES 09, CE24, ANR ASTRID, CE05 (13 Projets)
• 2015 - 2017 : Evaluation pré-projets (78 Projets) et membre CEP ANR (CES 09) Défi 3 (30 projets)
• 2009 -2014 : Membre Comité Evaluation ANR P3N puis P2N : 2009, 2010, 2011,
• Comité Evaluation ANR Blanc SIMI 4 (2013), 2 comités AERES (section 08 CNRS, 2014)
• 2010 - 2014, 2018 : Revues de projets ANR à mi-parcours (30 projets) et Expertise 18 projets ANR
• Autres expertises : DFG Elan (Germany) ; Fonds Collège-Industrie Québec (Canada) ; 2015 : Nano IDF et projet IDEX pour Université Strasbourg ; 2016 : Projet BQR INSA Lyon ; 2019 : Univ. Lyon et Marseille; 2018-2019 : Projets CEFIPRA (Collaboration France-Inde) ;

Biographie :

Dans toutes mes activités, j’ai le souci du collectif, de l’interdisciplinarité et un certain goût du risque. Physico-chimiste des matériaux et Directrice de recherches CNRS à l’Institut des Matériaux de Nantes Jean Rouxel (IMN) : après une maîtrise de chimie à Nantes, un diplôme d’ingénieur de l’Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Montpellier (ENSCM) et un doctorat en Sciences des Matériaux à Montpellier, j’intègre le CNRS en 1988 à l’Ecole Centrale de Lyon au laboratoire LPCI puis LEAME (devenu LEOM, puis INL). En charge d’un réacteur de dépôt PECVD-ECR, j’ai développé des procédés de passivation des Semi-conducteurs III-V et dépôt en couche mince de matériaux diélectriques pour la Microélectronique. Arrivée en mutation en 2003 à Nantes, j’ai obtenu une habilitation à diriger des recherches en 2008 « Du matériau fonctionnel au dispositif », et développé des procédés de dépôt par pulvérisation magnétron réactive pour de nombreux et nouveaux matériaux pour la réalisation de dispositifs pour plusieurs domaines (Microélectronique, Energie, Photocatalyse). Depuis plus de 20 ans, au sein du groupe développant les isolants de Mott, et plus largement au sein de l’équipe PCM, j’apporte mon expérience dans le domaine des matériaux en couche mince. Les travaux du groupe ‘’Mottronics’’ (PMN/PCM) sur les isolants de Mott aux propriétés exceptionnelles ont été récompensés par le prix Félix Robin 2023, décerné par la Société française de physique au groupe de cinq permanents impliqués pendant les JMC 2024 à Marseille.

Enseignement :

• 2008-2018 : Co-Responsable du module « Couches Minces : Elaboration, caractérisations et Applications » (20h), Master NanoSciences Nord-Ouest, avec M. Guilloux-Viry (ISCR Rennes).
• 2018-2023: Intervention (2h30/an) en Master 1, ITI MPP, IUT de Nantes
• 2023, 2024: Intervention ’’New materials and applications’’ Summer School, Beijing Institut of Technology (BIT) département de Physique, Pekin, Chine (~30h de cours).
• 2025 : Interventions à Pekin et Zuhai (nouvelle université au Sud de la Chine) (2 x 25 h de cours)

• Distinction

2023 : prix Félix Robin de la Société Française de Physique

Publications :

Mai 2025 : 94 publications, 5 brevets (dont 2012, 2014), plus de 140 communications orales (52 en oratrice) ; 15 conférences invitées (oratrice) en congrès internationaux, plus de 250 communications en congrès.

Publications majeures illustratives :

Michael Rodriguez-Fano, Mohamad Haydoura, Julien Tranchant*, Etienne Janod, Benoît Corraze, Pierre-Yves Jouan, Laurent Cario and Marie-Paule Besland*, Enhancing the resistive memory window through band gap tuning in the solid solution (Cr1-xVx)2O3, ACS Applied Materials & Interfaces, 15, 54611-54621 (2023).

M. Mitronika, C. Villeneuve-Faure*, F. Massol, L. Boudou, W. Ravisy, M.P. Besland, A. Goullet, M. Richard-Plouet, TiO2-SiO2 mixed oxide deposited by low pressure PECVD: insights on optical and nanoscale electrical properties, Applied Surface Sciences, 541 (2021) 148510.

F. Challali*, D. Mendil, T. Touam, T. Chauveau, … M.-P. Besland; Effect of RF sputtering power and vacuum annealing on the properties of AZO thin films prepared from ceramic target in confocal configuration, Mat. Sci. Semicond. Proc., 118, 105217, 2020.

E. Janod*, J. Tranchant, B. Corraze, M. Querré, P. Stoliar, M. Rozenberg, T. Cren, D. Roditchev, V. Ta Phuoc, M. P. Besland and L. Cario; Resistive switching in Mott insulators and correlated systems (Invited Review) Advanced Functional Materials, 25 (40) SI, 6287-6305 (2015)
(DOI: 10.1002/adfm.201500823)

Han Jun-Feng*, Liao Cheng, Cha Limei, Jiang Tao, Xie Hua-Mu, Zhao Kui, M.-P. Besland*, TEM and XPS studies of CdS/CIGS interfaces, Journal of Physics & Chemistry of Solids 75 (2014) 1279–1283.

J. Tranchant*, A. Pellaroque, E. Janod, B. Angleraud, B. Corraze, L. Cario, M.-P. Besland*, Deposition of GaV4S8 thin films by H2S/Ar reactive sputtering for RRAM applications, Journal of Physics D: Applied Physics 47 (6), 065309 (2014).

A. Rouahi*, A. Kahouli, F. Challali, M.-P. Besland, C. Vallée, B. Yangui, S. Salimy, A. Goullet, A Sylvestre*, Impedance and electrical modulus study of amorphous TiTaO thin films: Highlight of the interphase effect, J. Phys. D: Appl. Phys. 46 065308 (2013) (doi:10.1088/0022-3727/46/6/065308)

C. Duquenne, M. P. Besland*, P.Y. Tessier, E. Gautron, D. Averty, Y. Scudeller, Thermal Conductivity of Aluminum Nitride Thin Films prepared by Reactive Magnetron Sputtering, J. Phys. D: Appl. Phys. 45, 015301 (2012).

E. Al Alam, I. Cortes, M.-P. Besland*, A. Goullet, L. Lajaunie, P. Regreny (INL), Y. Cordier, J. Brault (CRHEA), A. Cazarre, K. Isoird, G. Sarrabayrousse, F. Morancho (LAAS), Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of SiO2/GaN interfaces; J. Appl. Phys., 109, 084511 (2011).

M. Lapeyrade, M.P. Besland*, C. Meva’a, A. Sibai (LPM-INSA-Lyon), G. Hollinger (LEOM-ECL), Silicon nitride thin films deposited by Electron Cyclotron Resonance Plasma, J. Vac. Sci. Technol., A 17(2), 433-444 (1999).

M.P. Besland*, S. Jourba, M. Lambrinos, P. Louis, P. Viktorovitch, G. Hollinger (LEAME-ECL), Optimized SiO2/InP structures prepared by Electron Cyclotron Resonance Plasma, J. Appl. Phys., 80, 3100, (1996).

G. Hollinger*, D. Gallet, M. Gendry (LEAME-ECL), M.P. Besland, J. Joseph (LPCI), Evidence for a new passivating indium rich phosphate prepared by ultraviolet/ozone oxydation of InP, Appl. Phys. Lett., 59, 1617, (1991).

M.P. Besland*, C. Guizard, N. Hovnanian, A. Larbot, L. Cot (LPCM-ENSCM-Montpellier), J. Sanz, I. Sobrados, M. Gregorkiewitz, (CSIC-Institute of Materials-Madrid), Silicon and carbon liquid and solid MAS NMR spectroscopies study of the polycondensation of Heteropolysiloxanes, J. Am. Chem. Soc. 113, 1982-1987, (1991)

Brevets

5 non exploités (1990, 2007, 2009, 2012, 2014) ; Deux déclarations d’invention non abouties (2008, 2010)

Lien vers publi HAL : https://cnrs.hal.science/search/index/?q=authFullName_t%3Abesland&rows=30&sort=publicationDate_tdate+desc

Lien vers orcid :ORCID: https://orcid.org/0000-0002-2680-2402

Lien vers scholar.google.fr : https://scholar.google.fr/citations?user=Ne_tI1wAAAAJ&hl=fr

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