GIRARD Aurélie

GIRARD Aurélie

Position: Enseignante-chercheure équipe PCM
Categories: ENSEIGNANT-CHERCHEUR, EQUIPE PCM

Maître de Conférences

 

Fonctions :

  • 2014-… Maître de conférences, Nantes Université, IMN équipe PCM (Plasma Couches Minces).
  • 2013–2014 Ingénieur maturation, SATT, France, Ouest Valorisation, BatElecCir.
  • 2011–2013 ATER, Université de Rennes 1, France, UFR sciences et propriétés de la matière, mention SPI, IETR, UMR6164.
  • 2010–2011 ATER, Université de Rennes 1, IUT GEII, France, IETR, UMR 6164.
  • 2009–2010 Postdoctorat, ENS Cachan Bretagne, France, équipe BIOMIS, SATIE, UMR 8029.

 

Qualifications :

  • 2005–2008 Doctorat en génie électronique, Université de Rennes 1, Rennes, France.

Détection électronique par transistor à grille suspendue de marqueurs protéiques liés au métabolisme du fer.

Thèse au sein du Département de Microélectronique et Microcapteurs (D2M) de l’IETR (Institut d’Electronique et des Technologies du numéRique).

  • 2002–2005 M.Sc.A : Maîtrise en Sciences Appliquées , Université de Sherbrooke, Canada.

Conception et fabrication d’un calorimétre pour cellule vivante.

Maîtrise en génie électrique, Majeure microélectronique avec projet de recherche en collaboration avec le MIT et l’université d’Auckland en Nouvelle Zélande.

  • 2001–2002 Maîtrise EEA, Université de Marne-La-Vallée, France.

Maîtrise en Électronique, Électrotechnique et Automatique, Spécialités électronique, microélecronique et optronique.

  • 1998–2001 ESTE, École Supérieure de Technologie Électronique, France.

Formation appartenant au groupe ESIEE, offrant en trois ans un niveau international certifié à un bachelor of engineering en électronique. Spécialités électronique et microélectronique.

 

Expertises :

  • Les processus de gravure dans les plasmas à base de fluor (SF6, CHF3, CF4, C2F6).
  • Les analyses de matériaux et de surfaces par spectroscopie de photoélectrons à rayons X.

 

Principales thématiques de recherche :

Ses intérêts scientifiques couvrent les aspects de fonctionnalisation et les questions récurrentes dans la gravure par plasma ainsi que le développement de processus. Actuellement, ses recherches portent sur la cryo-ALE (Cryogenic Atomic Layer Etching) et sur tous les mécanismes impliqués à l’interface plasma-surface lors de ce type de traitement.

 

Biographie :

Aurélie GIRARD est diplômée de l’Université de Sherbrooke, en 2005, en tant qu’ingénieur électricien spécialisé dans les biocapteurs et la microfabrication en collaboration avec l’Université d’Auckland et le MIT sur « Fabrication d’un microcalorimètre pour mesurer les propriétés thermodynamiques d’une cellule vivante ». Docteur en génie électrique de l’Université de Rennes (2008), spécialité Microélectronique liée aux biocapteurs, ses sujets de recherche, menés au cours de sa thèse et de plusieurs post-doctorats, combinent les procédés de fabrication et de caractérisation de dispositifs microélectroniques et la fonctionnalisation chimique de surface pour le greffage d’espèces biologiques : tout d’abord sur la fabrication et la fonctionnalisation électrochimique par des sels de diazonium de nanostructures et dispositifs à base de différents composés de silicium, puis sur la conception et la fabrication de multi-capteurs électrochimiques pour l’analyse de marqueurs de stockage lysosomal neurologique et d’accidents vasculaires cérébraux aigus. Ce projet a été réalisé en collaboration avec l’ENSCP. Enfin en 2014, elle a rejoint le groupe Plasmas et couches minces de l’IMN à Nantes, pour travailler en tant qu’enseignante chercheuse sur la gravure à sec de matériaux ayant des applications en microélectronique, en utilisant des plasmas réactifs RF à basse pression.

 

Enseignement :

Au sein de Nantes Université depuis septembre 2014, ses enseignements traitent principalement en électronique et en physique en L1, L3, M1 et M2 (formation initiale ou proposée en alternance (M2)) avec une organisation classique (cours, TD et TP) mais également sous forme de projets.

 

Publications :

Nombre de publications

Publications majeures illustratives :

  •  “An insight on plasma-surface interaction mechanisms during cryoetching in SiF4-O2, using in situ XPS”;
    C. Cardinaud, A. Girard, G. Antoun, J. Nos, T. Tillocher, R. Dussart ; Plasma Etch and Strip for Microelectronics (PESM), Louvain, Belgique, 19-23 septembre 2022.
  •  “Quasi In Situ XPS on a SiOxFy Layer Deposited on Silicon by a Cryogenic Process”;
    G. Antoun, A. Girard, T. Tillocher, P. Lefaucheux, J. Faguet, K. Maekawa, C. Cardinaud and R. Dussart.; ECS J. Solid State Sci. Technol. 2022, 11, 013013.
  •  “Surface composition and micromasking effect during the etching of amorphous Ge-Sb-Se thin films in SF6 and SF6 /Ar plasmas”;
    T Meyer, A. Girard, G LeDain, A. Rhallabi, E. Baudet, V. Nazabal, P. Nemec and C. Cardinaud. Appl. Surf. Sci. 2021, 549, 149192.
  •  “Investigation of organic precursors and plasma mixtures allowing control of carbon passivation when etching HgCdTe in hydrocarbon-based inductively coupled plasmas”;
    J. Piet, W. Faider, A. Girard, F. Boulard and C. Cardinaud. Journal of Vacuum Science & Technology A 2020, 38, 053005.

 

Lien LinkedIn :https://www.linkedin.com/in/aurelie-girard-5916091b/

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