TRANCHANT Julien
Fonction :
Ingénieur de Recherche CNRS, HDR
Qualifications :
Doctorat en Sciences des Matériaux, Ingénieur de l’Ecole Centrale de Nantes
Expertises :
- Isolants de Mott
- Couches minces
- Tests électriques
Principale thématique de recherche :
Etude de la transition isolant-métal dans les isolants de Mott en couches minces pour applications en microélectronique
Biographie :
- Projets de recherche en cours : Projet Régional de Démonstrateur Académique de Recherche Mott-IA, ANR FASTRAIN, IPCEI ME-CT Mott-IMC
- Activités dans la communauté de recherche (membre comité, réseau…) : Coordinateur de la plateforme PLASSMAT de l’IMN
- Distinction : Grand Prix Felix Robin 2023 de la SFP
Publications et brevets :
- Propagating insulator-to-metal transition in the wake of photoinduced strain waves in a Mott material, Nature Physics 2024, https://doi.org/10.1038/s41567-024-02628-4
- Enhancing the Resistive Memory Window through Band Gap Tuning in Solid Solution (Cr1–xVx)2O3, ACS Appl. Mater. Interfaces 2023, https://doi.org/10.1021/acsami.3c09387
- A Leaky-Integrate-and-Fire Neuron Analog Realized with a Mott Insulator. Adv. Funct. Mater. 2017.https://doi-org.inc.bib.cnrs.fr/10.1002/adfm.201604740
- Brevet « Utilisation des isolants de Mott dans des réseaux neuromorphiques » 2014
- Resistive Switching in Mott Insulators and Correlated Systems. Adv. Funct. Mater. 2015, https://doi-org.inc.bib.cnrs.fr/10.1002/adfm.201500823
- Deposition of GaV4S8 thin films by H2S/Ar reactive sputtering for ReRAM applications, J Phys D Appl. Phys. 2014, DOI 10.1088/0022-3727/47/6/065309
Lien vers orcid : https://orcid.org/0000-0003-4508-954X
Lien vers scholar.google.fr : https://scholar.google.com/citations?user=vMqkta8AAAAJ&hl=fr
